3450
锗(Ge)
用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池沉底等材料。
性质:
生长方法
提拉法
晶体结构
立方
晶格常数
a=5.65754Å
密 度
5.323g/cm3
熔 点
937.4℃
掺杂物质
不掺杂
掺Sb
掺In或Ga
类 型
∕
N
P
电 阻 率
>35Ωcm
0.05Ωcm
0.05~0.1Ωcm
E P D
<4×103∕cm2
标准产品:
晶体方向
<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
标准抛光棒尺寸
Φ1″~Φ5″×200mm
标准毛片尺寸
Φ1″×0.5、Φ2″×0.6、Φ3″×0.7、Φ4″×0.8
标准抛光片尺寸
Φ1″×0.3、Φ2″×0.5、Φ3″×0.5、Φ4″×0.6
注:可根据客户要求,提供特殊尺寸和晶向的基片。